تاريخ الفيزياء
علماء الفيزياء
الفيزياء الكلاسيكية
الميكانيك
الديناميكا الحرارية
الكهربائية والمغناطيسية
الكهربائية
المغناطيسية
الكهرومغناطيسية
علم البصريات
تاريخ علم البصريات
الضوء
مواضيع عامة في علم البصريات
الصوت
الفيزياء الحديثة
النظرية النسبية
النظرية النسبية الخاصة
النظرية النسبية العامة
مواضيع عامة في النظرية النسبية
ميكانيكا الكم
الفيزياء الذرية
الفيزياء الجزيئية
الفيزياء النووية
مواضيع عامة في الفيزياء النووية
النشاط الاشعاعي
فيزياء الحالة الصلبة
الموصلات
أشباه الموصلات
العوازل
مواضيع عامة في الفيزياء الصلبة
فيزياء الجوامد
الليزر
أنواع الليزر
بعض تطبيقات الليزر
مواضيع عامة في الليزر
علم الفلك
تاريخ وعلماء علم الفلك
الثقوب السوداء
المجموعة الشمسية
الشمس
كوكب عطارد
كوكب الزهرة
كوكب الأرض
كوكب المريخ
كوكب المشتري
كوكب زحل
كوكب أورانوس
كوكب نبتون
كوكب بلوتو
القمر
كواكب ومواضيع اخرى
مواضيع عامة في علم الفلك
النجوم
البلازما
الألكترونيات
خواص المادة
الطاقة البديلة
الطاقة الشمسية
مواضيع عامة في الطاقة البديلة
المد والجزر
فيزياء الجسيمات
الفيزياء والعلوم الأخرى
الفيزياء الكيميائية
الفيزياء الرياضية
الفيزياء الحيوية
الفيزياء العامة
مواضيع عامة في الفيزياء
تجارب فيزيائية
مصطلحات وتعاريف فيزيائية
وحدات القياس الفيزيائية
طرائف الفيزياء
مواضيع اخرى
الدوائر المتكاملة احادية البلورة Monolithic integrated circuits
المؤلف: الدكتور صبحي سعيد الراوي
المصدر: فيزياء الألكترونات
الجزء والصفحة: 608
10-10-2021
1711
الدوائر المتكاملة احادية البلورة Monolithic integrated circuits
ان كلمة monoli thic مشتقة من اللغة الاغريقية وتعني الحجرالواحد وعليه فان مصطلح monolithic IC يشيرالى دائرة متكاملة تم تصنيع كل عناصرها على شريحة chip منفردة من رقاقة wafer السيلكون.هذا وان عملية التصنيع هذه تعتمد على ما يسمى بعملية تقنية الانتشار في المستوى الواحد diffused planar process حيث يتم في هذه العملية تنفيذ جميع الخطوات اللازمة على سطح واحد لشريحة السيلكون وكذلك تعمل كل التوصيلات اللازمة بين المكونات على نفس السطح .
وعلى الرغم من ان جل اهمامنا ينحصرفي التعرف على الدوائرالمتكاملة من حيث الاستخدام الا انه من المفيد جداً التعرف يضا على كيفية تصنيعها حيث أن عمية النصنيع هذه تعد فريدة من نوعها في عالم الالكترونات .
في أوائل الخمسينات عندما كانت صناعة اشباه الموصلات semiconductor technology في بدايها ،كان الجرمانيوم (Ge) اهم العناصر المعتمدة في هذه الصناعة ، من بين العناصر الاخرى وذلك لسهولة تنقيته وتنميته للحصول على بلورة جرمانيوم كبيرة وكذلك للسرعة العالية التي تتم فيها عملية التصنيع الخاصة بكل من الترانزستورات والثنائيات .
في عام 1960 صبح واضحا ان السيلكون ( Si ) بدأ يستبدل الجرمانيوم وفي معظم النطبيقات تقريباً . ان السبب الكامن وراء هذا الاستبدال يشير الى ان للسيلكون ميزات تتلخص فيما ياتي :
أ) انه عنصر شائع ومتوافرحيث انه يكون 00 ن،اه من قشرة الارض ويمكن لذلك استخراجه بسهولة ويسر مما يعني رخص صناعته .
ب) تمتلك ذراته طاقة ترابط عالية مما يجعل استعماله افضل بكثير من الجرمانيوم عند العمل في درجات الحرارة العالية او بعبارة اخرى صغر تيار التسرب فيه وارتفاع جهد الانهيار التابع له .
ج) يمتلك اوكسيداً خاملاً ومستقراً يمكن استخدامه كقناع ضوئي photo-mask في عملية تصنيع الدوائر المتكاملة اوكعازل جيد يكون طاقة منيعة تحمي البلورة من التلوث والرطوبة. أضف الى ذلك ان هذه الطبقة يمكن ازالتها بسهولة حيث انها تذوب في حامض الهيدروفلوريك الذي لايذوب فيه السيلكون.