1

المرجع الالكتروني للمعلوماتية

تاريخ الفيزياء

علماء الفيزياء

الفيزياء الكلاسيكية

الميكانيك

الديناميكا الحرارية

الكهربائية والمغناطيسية

الكهربائية

المغناطيسية

الكهرومغناطيسية

علم البصريات

تاريخ علم البصريات

الضوء

مواضيع عامة في علم البصريات

الصوت

الفيزياء الحديثة

النظرية النسبية

النظرية النسبية الخاصة

النظرية النسبية العامة

مواضيع عامة في النظرية النسبية

ميكانيكا الكم

الفيزياء الذرية

الفيزياء الجزيئية

الفيزياء النووية

مواضيع عامة في الفيزياء النووية

النشاط الاشعاعي

فيزياء الحالة الصلبة

الموصلات

أشباه الموصلات

العوازل

مواضيع عامة في الفيزياء الصلبة

فيزياء الجوامد

الليزر

أنواع الليزر

بعض تطبيقات الليزر

مواضيع عامة في الليزر

علم الفلك

تاريخ وعلماء علم الفلك

الثقوب السوداء

المجموعة الشمسية

الشمس

كوكب عطارد

كوكب الزهرة

كوكب الأرض

كوكب المريخ

كوكب المشتري

كوكب زحل

كوكب أورانوس

كوكب نبتون

كوكب بلوتو

القمر

كواكب ومواضيع اخرى

مواضيع عامة في علم الفلك

النجوم

البلازما

الألكترونيات

خواص المادة

الطاقة البديلة

الطاقة الشمسية

مواضيع عامة في الطاقة البديلة

المد والجزر

فيزياء الجسيمات

الفيزياء والعلوم الأخرى

الفيزياء الكيميائية

الفيزياء الرياضية

الفيزياء الحيوية

الفيزياء العامة

مواضيع عامة في الفيزياء

تجارب فيزيائية

مصطلحات وتعاريف فيزيائية

وحدات القياس الفيزيائية

طرائف الفيزياء

مواضيع اخرى

علم الفيزياء : الفيزياء الحديثة : الألكترونيات :

عملية انماء البلورة Crystal growth

المؤلف:  الدكتور صبحي سعيد الراوي

المصدر:  فيزياء الألكترونات

الجزء والصفحة:  610

10-10-2021

1544

عملية انماء البلورة Crystal growth

يوضع السيلكون النقي ، المستخرج من الرمل الذي يكون على هيئة مسحوق ، في جفنة التسخين وتتم عملية تسخينه في جو من غاز خامل inert atmosphere -لمنع عمية التأكسد - حتى درجة °1420 مئوية - اي درجة انصهار السيلكون . لابد ان نذكر انه اذا ما اريد ، كما هي الحال هنا ، تطعيم dopping السيلكون بأي مادة فانها تضاف الى مسحوق السيلكون وبالكمية الماسبة .

بلورة صغيرة منفردة تعد بمثابة بذرة seed ، يتم ادخالها الى منصهر السيلكون في جفنة التسخين . تدار البذرة ببطء ، في داخل المنصهر، ثم تسحب خارجا . يبدأ السيلكون المتجمع حول البذرة ، بالتجمد اثناء عملية السحب وبهذه الطريقة تنمو البلورة -أنظرالشكل (١) . وعن هذا الطريق يمكن في الوقت الحاضر، تحضير بلورة سيلكون بقطر من 1 الى 3 إنج وبطول قدم واحد .

تقطع البلورة الكبيرة الى رقاقات wafer مدورة كثيرة بسمك 250 مايكرومتر ( = 0.01 إنج ) وقطرمن 5 الى 8 سم – أنظر الشكل (٢) . يصقل أحد وجهي الرقاقة ويلمع الى ان يصبح ناعما وصقيلا كسطح مرآة . عندما يصبح سمك الرقاقة حوالي 0.006 إنج ويكون خاليا من العيوب الشبكية التي ترافق البلورات عادة . تكون الرقاقة عندئذ جاهزة لعمليات لاحقة اخرى وتدعى بطبقة الاساس substrate اي تكون الجسم الذي يرتكز عليه جميع أجزاء الدائرة

ومن الجدير بالذكر ان الرقاقة الواحدة تقسم الى شرائح صغيرة hips ( عادة ماتكون بين 50 الى 1500 شريحة على الرقاقة الواحدة ) وتحتوي كل شريحة على 50 عنصرا ( ترانزستور او ثنائي او مقاومة .. وغيرها ) - أنظرالشكل (٣) .وحيث ان هذا التقسيم يشمل كل الشرائح المنتجة لذا فان هذا الانتاج سيكون على نطاق واسع large scale .هذا الانتاج الموسع mass production هو السبب المباشر في قلة كلفة تصنيع الدوائر المتكاملة.

EN

تصفح الموقع بالشكل العمودي