الشكل 1 يبين دائرة المضاعف فولتية الموجة الكاملة. عمل الدائرة يمكن أن يفهم كالآتي في B و C و D في الشكل 1 . خلال نصف الدورة الموجب لثانوي المحولة وكما تشاهد في DA، B توصل

وبذا تشحن المتسعة C1 على D_B ;1.4 _RMS في هذه الحالة غير موصل. خلال نصف الدورة السالب كما تشاهد في C، الثنائي D3 يوصل وتشحن المتسعة C2 إلى E_RMS 1.4، بينما DA غير موصلة. الفولتية الخارجة هي مجموع فولتيات المتسعتين، والتي ستكون E_RMS 2.8 تحت حالة اللا حمل.

الشكل D 1 يوضح أن كل متسعة تستلم شحنة واحدة كل دورة. السعة الفعالة للمرشح هي C1 وC2 على التوالي، والتي هي أقل من C1 أو C2 منفردة.

المقاومات R في الشكل A1 تستعمل لتحديد انجراف التيار Surge current خلال الموحدات. وقيمتها تستند إلى فولتية المحولة وقيمة انجراف التيار المقننة للموحدات، إذ إن المتسعات تتصرف كدورة قصيرة لحظة تشغيل مجهز القدرة وضع مقاومات التحديد المشار إليها يمكن أن يكبح جماح التيار الجارف، وتعتمد مقدرتها لتمرير التيار على أعظم تيار حمل خارج من المجهز.

يمكن الحصول على فولتيات خارجة بقدر ضعف الفولتية الذروية للمحولة من خلال دائرة مضاعف الفولتية التي تراها في الشكل 1A؛

الشكل 2 يبين كيف تعتمد الفولتية على النسبة بين مقاومة التوالي إلى مقاومة الحمل، وكم مرة مقاومة الحمل بقدر متسعة المرشح. الفولتية العكسية الذروية على طرفي كل ثنائي تكون بقدر .2.8E_RMS

مواضيع ذات صلة

زيادة الانتقائية للدوائر ذات الإخماد الخارجي : Increasing the selectivity of Externally Quenched Circuits

تكوين وصلة pn-Junction) pn)

الآصرة التساهمية Covalent bond

الانبعاث الإلكتروني

وصلة pn في حالة الانحياز

مقوم نصف الموجة (Half-Wave Rectifier)

الموضوع معادلة ثنائي أشباه الموصلات

ثنائي زنر كمقر للفولتية Zener diode Regulation

أجهزة فولتضوئية PHOTOVOLTAIC DEVICES

المقرات الخطية Linear Regulators

نظرة سريعة على الهيكل العام للمستقبل Common Receiver Architectures

تحديد التيار للمقرات ذات المكونات المنفصلة :Current limiting for discrete-component regulators