الدوائر المتكاملة للذاكرات PROM
المؤلف:
م. احمد عبد المتعال
المصدر:
الإلكترونيات الرقمية وتطبيقاتها العملية
الجزء والصفحة:
ص89
2026-05-03
382
سنستعرض فى هذه الفقرة الدائرة المتكاملة 74188 وهي ذاكرة PROM تبلغ سعتها 256
bit منظمة على الشكل التالي: 8×32.
والشكل (1) يعرض المسقط الأفقي لهذه الدائرة المتكاملة.

الشكل 1
التعريف بأرجل الدائرة المتكاملة:
مخارج الذاكرة Y₁ - Y₈ .
مداخل العنوان A – E .
مدخل التمكين ( فعال عند الحالة المنخفضة) G .
مدخل الجهد الموجب VCC .
مدخل الأرضي GND .
وقبل برمجة الذاكرة PROM طراز 74188 تكون حالة جميع خلايا الذاكرة منخفضة، وهناك عدة خطوات
متبعة لبرمجة ذاكرة PROM وهــى كالآتي:
- وصل جهد 5v + للرجل VCC وادخل عنوان الكلمة المطلوب إدخالها على مداخل العنوان A-E.
- وصل جهد منطقى عال لمدخل التمكين G أي 5 +.
- افصل جميع المخارج عدا المخرج المطلوب جعل حالته عالية.
- ارفع جهد الرجل VCC إلى v 10+، وفى نفس الوقت اجعل جهد مدخل التمكين G منخفضاً علماً بأن مصدر القدرة يجب أن يكون قادراً على إمداد تيار مقداره mA 100، عند جهد V10، وبعد مرور S1 تقريباً أعد جهد مدخل التمكين للحالة المنطقية العالية، وكذلك جهد الرجل VCC إلى V 5+ .
- كرر الخطوة 2,4,3,. لكل المخارج المطلوب جعل حالتها عالية لكل عنوان، فمثلا: إذا كانت الكلمة المطلوب إدخالها على العنوان المختار هي: 11010010 فيجب أن تكرر الخطوات 2, 3,4 للمخرج ,Y8 Y5, Y7 Y2, لإدخال هذه الكلمة.
0
0
لا توجد تعليقات بعد
ما رأيك بالمقال : كن أول من يعلق على هذا المحتوى
الاكثر قراءة في الألكترونيات
اخر الاخبار
اخبار العتبة العباسية المقدسة