تسجيل الدخول

تسجيل

الدوائر العملية للمذبذبات اللامستقرة :الدائرة رقم 3

المؤلف:  م. احمد عبد المتعال

المصدر:  الإلكترونيات الرقمية وتطبيقاتها العملية

الجزء والصفحة:  ص167

2026-05-12

416

الشكل (1) يعرض دائرة مذبذب عديم الاستقرار باستخدام بوابتين Schmitt NAND عائلة CMOS طراز 4093.

الشكل (1)

عناصر الدائرة:

N₁, N₂ دائرة متكاملة طراز 4093.

R مقاومة كربونية MΩ1.

C مكثف بوليستير سعته nF33.

فكرة موجزة عن هذه الدائرة:

يكون تردد خرج هذا المذبذب مساوياً:

ويتراوح الجهد V_DD ما بين V 18:3.

والجدير بالذكر أن خرج البوابةN1 يكون مشوهاً نتيجة لتحميل المقاومة R على خرجها لذلك استخدمت البوابة N₂ لإزالة هذا التشوية، وأقصى تيار يمكن أخذه من هذه الدائرة يكافئ تیار خرج N₂ وهو 0.5mA تقريباً.