دائرة مضاعف فولتية لثلاث مرات Voltage tripling تراها في الشكل A 1. في نصف دورة التيار المتناوب، تشحن C1 و C3 إلى مستوى فولتية المصدر من خلال 1 و D2 و D3 . عند النصف الآخر من الدورة يوصل D2 و C2 تشحن إلى ضعف فولتية المصدر ، لأنها ترى المحولة زائدا الشحنة في C1 كمصدر لها (D1 يكون في حالة قطع خلال نصف الدورة هذا . في نفس الوقت يوصل D3 ومن خلال المحولة والشحنة في C2 كمصدر ، C3 تشحن إلى ثلاث مرات بقدر فولتية المحولة .

الشكل 1 الفولتية المستمرة الخارجة من دائرة مضاعف موجة كاملة كدالة لسعات المرشح ومقاومة الحمل. في النسبة R/R_S وحاصل ضرب RC تكون المقاومات بالأوم والمتسعات بالمايكروفراد. يفترض أن تكون المقاومات متساوية في R والمتسعات متساوية في . هذه المنحنيات قد جرى تنسيبها من تلك التي نشرت من قبل Otto H. Shade

المصدر "1943 Analysis of Rectifier Operation, Proceeding of the I.R.E.July" .

الشكل2   دوائر المضاعفة الفولتية مع استعمال أحد جانبي ثانوي المحولة كنقطة مشتركة common. في A ترى مضاعف فولتية لثلاث مرات؛ بينما في 8 مضاعف فولتية لأربع مرات. المتسعات هي نموذجياً 20 إلى 50 مايكروفراد وتعتمد قيمتها على التيار المسحوب فولتية العمل المستمرة للمتسعات تعتمد على E (14).

C1- Greater than E_peak

C2- Greater than 2 p_eak  

C3- Greater than 3Ep_eak

C4- Greater than 2E p_eak

دائرة مضاعفة الفولتية لأربع مرات Voltage-quadrupling في الشكل 2B تعمل بنفس الطريقة. وفي أيا من الدائرتين في الشكل 2 ، فإن الفولتية الخارجة هي بالضبط مضاعفات القيمة الذروية للفولتية المتناوبة AC عندما يكون التيار المسحوب قليلاً وقيم المتسعات مرتفعة. في الدوائر التي تراها يكون الخط السالب The negative leg مجهز القدرة هو الخط المشترك common إلى أحد جوانب المحولة. يمكن جعل الخط الموجب هو الخط المشترك إلى أحد جوانب المحولة من خلال عكس الثنائيات والمتسعات.