ثنائي زنر الذي يمتلك فولتية (انهيار) معينة، ممكن أن تتوفر منه أنواع لها القابلية على تمرير قيم متنوعة من التيار، وهذه القيم تتبع القدرة المقننة Power ratings لكل ثنائي. القدرة التي يبددها الثنائي هي حاصل ضرب الفولتية على طرفيه في التيار المار خلاله. وبالعكس فإن أقصى تيار يمكن أن يوصله ثنائي معين يكون مساويا إلى القدرة المقننة للثنائي Power rating مقسوما على فولتيته المقننة Voltage-rating.

 لذا فإن ثنائي زنر ذو فولتية وقدرة V 10وW50 ويعمل عند أقصى تبديد dissipation سيوصل 5 أمبيرات. ثنائي آخر له فولتية مقننة 100 وقدرة 10 يمكن أن يمرر تياراً أمنا ليس أكثر من 0.1 أي mA100. ممانعة التوصيل للثنائي conducting impedance هي فولتيته المقننة مقسومة على التيار المار خلاله. المثال الأعلى ممانعة التوصيل ستكون 2 أوم للثنائي ذو 50W و100 أوم للثنائي ذو W 1. متجاهلين التغيير الطفيف في الفولتية الذي قد يحدث، ممانعة التوصيل conducting impedance لثنائي ما هي دالة function للتيار المار خلاله وتتغير بتناسب عكسي.

القدرة التي يمكن أن يتعامل بها الثنائي المعظم ثنائيات زنر تقنن عند 25°C، أو تقريباً عند درجة حرارة الغرفة. فإذا ما عمل الثنائي في درجة حرارة أعلى ستتدهور مقدرته على نقل القدرة . وعمليا فإن ثنائي ذو W1 يمكن أن يبدد بشكل أمن فقط 1/2 واط عند درجة حرارة100°C. الجزء C في الشكل 22 يوضح طرق لمضاعفة القدرة الفعالة التي يمررها ثنائي زنر صغير. عندما يوصل الثنائي، فإنه يجهز تيار القاعدة إلى ترانزستور القدرة. وهذا يتسبب في مرورتیار جامع خلال مقاومة حد التوالي series limiting resistance (لاحظ الفقرة التالية . هذا التيار يتسبب في أن تنحدر فولتية الثنائي (Vz+Vbe) إلى عتبة التوصيل Conducting threshold . وعند سحب تيار الحمل خلال RS تميل الفولتية الخارجة لأن تنحدر دون عتبة التوصيل . ولكن عندما يخفق الثنائي في التوصيل، فإن جامع الترانزستور يخفق في سحب التيار. أثر التغذية العكسية هذا يتسبب في إقرار قيمة التيار في مقاومة التحديد وينظم الفولتية الخارجة عند قيمة مساوية لـ Vz+Vbe. وبهذه الكيفية فإن ممانعة التوصيل conducting impedance لثنائي زنر ستقسم على بيتا الترانزستور transistor beta . وعندما يكون المطلوب تيار حمل عالي فإن تقنية تنظيم الفولتية تصبح غير مرغوبة بسبب انحدار الفولتية Voltage dropped والقدرة المبددة على مقاومة تحديد التيار Current limiting عدم الكفاءة هذا يمكن التغلب عليه من خلال استعمال تابع القاذف emitter follower resistor  . الذي تراه في الشكل D 1 . ثنائي الزنر ينشئ فولتية مرجعية إلى قاعدة الترانزستور، وتيار الحمل يتدفق في دائرة الـ جامع قاذف. يتم انتخاب مقاومة الحد لتحقق أعظم تيار حمل مقسوماً على أقل بيتا للترانزستور تيار ثنائي زنر المرغوب. وكما في دائرة تضخيم تيار الأنشوطة Shunt current boosting السابقة، فإن ممانعة الخروج لمنظم الفولتية هذا ستكون مساوية لممانعة الزنر مقسوما على بيتا الترانزستور. الفولتية الخارجة هي Vbe-Vz.

الشكل رقم (1) يوضح ربط الدوائر المذكورة اعلاه